Intel y Numonyx alcanzan un hito en investigación con la tecnología de memoria de cambio de fase Cross Point

Intel Coporation y Numonyx BV anunciaron hoy un paso clave en la investigación de la memoria de cambio de fase (PCM, por sus siglas en inglés), una nueva tecnología de memoria no volátil que combina muchos de los beneficios de los diferentes tipos de memoria de hoy. Por primera vez, los investigadores han elaborado una tecnología que permite la capacidad de apilar, o colocar múltiples capas de matrices PCMb en una sola oblea. 

Este desarrollo abre camino para la creación de dispositivos de memoria de alta velocidad con una mayor capacidad, un menor consumo de energía y un ahorro de espacio óptimo para la memoria de acceso aleatorio y las aplicaciones de almacenamiento. 

Los logros son el resultado de un programa continuo de investigación conjunta entre Numonyx e Intel, que se centró en la explotación de matrices de células en múltiples capas, o apiladas. Como parte de este proyecto, los investigadores de Intel y Numonyx ahora son capaces de producir una célula de memoria integrada verticalmente, llamada PCM. La(s) PCM (S) se compone(n) de un elemento PCM dispuesto en capas, con un Ovonic Threshold Switch (OTS), usado por primera vez, en una verdadera matriz cross point. La capacidad de estructurar en capas o apilar las matrices de PCM (S) proporciona la escalabilidad necesaria para una mayor densidad de memoria, manteniendo las características de desempeño de la PCM, un reto que es cada vez más difícil de mantener con las tecnologías tradicionales de memoria

"Seguimos desarrollando la tecnología de pipeline para las memorias, a fin de hacer avanzar las plataformas de computación", dijo Al Fazio, Intel Fellow y Director de Memory Technology Development. "Nos sentimos alentados por este hito en la investigación y vemos las tecnologías de memoria del futuro, tales como la(s) PCM(s), que son críticas para la ampliación del papel de las memorias en soluciones informáticas y en la expansión de las capacidades de rendimiento y ampliación de memoria."

"Los resultados son extremamente prometedores", dijo Greg Atwood, Senior Technology Fellow de Numonyx. "Los resultados muestran el potencial de mayor densidad, matrices escalables y NAND como modelos de uso de los productos PCM en el futuro. Esto es importante, ya que las tecnologías tradicionales de memoria flash enfrentan ciertos límites físicos y problemas de fiabilidad; sin embargo, la demanda por memoria sigue aumentando en todo, desde teléfonos móviles hasta centros de datos".

Las células de memoria se construyen por apilamiento de un elemento de almacenamiento y un selector. Varias células crean matrices de memoria. Matrices previas con PCM como el elemento de almacenamiento ya habían sido divulgadas; pero usando selectores diferentes. Esto ha creado una grave limitación para el tamaño y la eficiencia de la matriz. Sin embargo, los investigadores de Intel y Numonyx fueron capaces de desplegar una película delgada, de dos terminales de OTS, como selector, combinando las propiedades físicas y eléctricas para la ampliación de la PCM. Con la compatibilidad de la(s) PCM (S) de película delgada, ahora es posible estructurar múltiples capas de las matrices de memoria cross point.

Una vez integradas y embebidas en una verdadera matriz cross point, las matrices en capas se combinan con circuitos CMOS para la decodificación, la detección y las funciones lógicas. Entre las principales funcionalidades de la tecnología se destacan una velocidad de restablecimiento de nueve nanosegundos, la resistencia de 1 millón de ciclos, así como un rango dinámico de 1 voltio, entre el establecimiento y el restablecimiento del modo.

Más información sobre la celda de memoria, la matriz cross point, el experimento y los resultados se publicarán en un documento conjunto titulado “A Stackable Cross Point Phase Change Memory" (en traducción libre, "Una Memoria de Cambio de Fase Cross Point Apilable"), que será presentado en la reunión 2009 International Electron Devices Meeting en Baltimore, Maryland, el 9 de diciembre de 2009. El artículo fue escrito en coautoría por tecnólogos de Intel y Numonyx y será presentado por DerChang Kau, principal Ingeniero Senior de Intel.